La carrera por construir sistemas de inteligencia artificial más rápidos no solo depende de mejores procesadores. La memoria se ha convertido en una pieza clave para mover y almacenar las enormes cantidades de información que requieren los modelos de IA, y Samsung acaba de mostrar en FMS 2026 su visión para la siguiente etapa de esta tecnología.
Durante Future of Memory and Storage 2026, celebrado en Santa Clara, California, Samsung presentó su arquitectura V10 Bonding V-NAND (BV-NAND), además de los conceptos zHBM y zNAND-O, propuestas que buscan aprovechar estructuras tridimensionales para aumentar la densidad y mejorar el rendimiento de la memoria. Reuters confirmó la presentación y sus principales características.
Podría interesarte:Google Pixel 11 apuesta todo por Gemini y pone a Siri contra las cuerdas
V10 BV-NAND supera las 400 capas
Uno de los avances más concretos mostrados por Samsung fue la V10 Bonding V-NAND, una nueva arquitectura que supera las 400 capas y utiliza un sistema de unión de obleas para incrementar la densidad de almacenamiento.
De acuerdo con Samsung, esta tecnología consigue aproximadamente 58% más densidad de memoria que la generación V9, al mismo tiempo que mejora las velocidades de lectura, escritura y entrada/salida. El objetivo está directamente relacionado con la creciente demanda de almacenamiento para sistemas de IA que necesitan procesar información en tiempo real.
zHBM y zNAND-O apuntan al futuro de la IA
Samsung también presentó dos conceptos que todavía deben entenderse como parte de su visión tecnológica y no como productos comerciales disponibles para consumidores: zHBM y zNAND-O.
El concepto zHBM plantea colocar la memoria verticalmente sobre los aceleradores de IA, reduciendo la distancia que deben recorrer los datos. Samsung sostiene que su tecnología de unión de obleas podría permitir una densidad de memoria superior a 10 veces la de una HBM5 convencional, además de triplicar la eficiencia energética y reducir considerablemente la resistencia térmica.
La memoria será una de las claves de la próxima generación de IA
El mensaje de Samsung en FMS 2026 va más allá de presentar una nueva generación de NAND. La compañía está apostando por estructuras tridimensionales capaces de colocar más memoria en espacios cada vez menores y acercarla físicamente a los componentes que procesan la inteligencia artificial.
Para México, esto todavía no representa un producto que pueda llegar mañana a las tiendas, pero sí una señal de hacia dónde se mueve la industria tecnológica. La próxima gran evolución de la IA no dependerá únicamente de modelos más inteligentes: también necesitará memorias capaces de seguirles el ritmo.
